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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (131 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A

descrição

Número da peça:	AON2801L#A	Fabricante:	& alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição:	MOSFET 2P-CH 20V 3A DFN2X2-6L	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de AON2801L#A

Estado da parte	Obsoleto
Tipo do FET	P-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	3A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	120 mOhm @ 3A, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	6.5nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	700pF @ 10V
Poder - máximo	1.5W
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	6-WDFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor	6-DFN (2x2)
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de AON2801L#A

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AON2801L#A 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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