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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (191 reviews)

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Imagem Grande : Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN

descrição

Número da peça:	UM6K1NTN	Fabricante:	Rohm semicondutor
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de UM6K1NTN

Estado da parte	Não para projetos novos
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	100mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	8 ohms @ 10mA, 4V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	1.5V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	-
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	13pF @ 5V
Poder - máximo	150mW
Temperatura de funcionamento	150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote do dispositivo do fornecedor	UMT6
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de UM6K1NTN

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de UM6K1NTN 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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