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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo CAS325M12HM2

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo CAS325M12HM2

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo CAS325M12HM2

descrição
Número da peça: CAS325M12HM2 Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descrição: MÓDULO do MOSFET 2N-CH 1200V 444A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições Série: Z-REC™

Especificações CAS325M12HM2

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal 2 (meia ponte)
Característica do FET Carboneto de silicone (sic)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 1200V (1.2kV)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 444A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 4,3 mOhm @ 400A, 20V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 105mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 1127nC @ 20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 3000W
Temperatura de funcionamento 175°C (TJ)
Montando o tipo -
Pacote/caso Módulo
Pacote do dispositivo do fornecedor Módulo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento CAS325M12HM2

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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