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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de VT6M1T2CR

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de VT6M1T2CR

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de VT6M1T2CR

descrição
Número da peça: VT6M1T2CR Fabricante: Rohm semicondutor
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de VT6M1T2CR

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N e P-canal
Característica do FET Porta do nível da lógica, movimentação 1.2V
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 100mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 3,5 ohms @ 100mA, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 7.1pF @ 10V
Poder - máximo 120mW
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso 6-SMD, ligações lisas
Pacote do dispositivo do fornecedor VMT6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de VT6M1T2CR

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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