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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (100 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7

descrição

Número da peça:	DMN3135LVT-7	Fabricante:	Diodos incorporados
Descrição:	MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações DMN3135LVT-7

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	3.5A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	2.2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	4.1nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	305pF @ 15V
Poder - máximo	840mW
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Pacote do dispositivo do fornecedor	TSOT-26
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento DMN3135LVT-7

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo DMN3135LVT-7 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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