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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (184 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN

descrição

Número da peça:	FDMB3900AN	Fabricante:	Semicondutor de Fairchild/ON
Descrição:	MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições	Série:	PowerTrench®

Especificações de FDMB3900AN

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	25V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	7A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	23 mOhm @ 7A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	890pF @ 13V
Poder - máximo	800mW
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	8-PowerWDFN
Pacote do dispositivo do fornecedor	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de FDMB3900AN

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de FDMB3900AN 0

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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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