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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO5600EL

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO5600EL

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO5600EL
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de AO5600EL

descrição
Número da peça: AO5600EL Fabricante: & alfa; Ômega Semicondutor Inc.
Descrição: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de AO5600EL

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N e P-canal complementares
Característica do FET Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) 20V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 600mA, 500mA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 650 mOhm @ 500mA, 4.5V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 1nC @ 4.5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 45pF @ 10V
Poder - máximo 380mW
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso SOT-563, SOT-666
Pacote do dispositivo do fornecedor SC-89-6
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de AO5600EL

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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