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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC6A07T8TA

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC6A07T8TA

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de ZXMHC6A07T8TA

descrição
Número da peça: ZXMHC6A07T8TA Fabricante: Diodos incorporados
Descrição: MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de ZXMHC6A07T8TA

Estado da parte Ativo
Tipo do FET P-canal 2 N e 2 (H-ponte)
Característica do FET Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss) 60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 1.6A, 1.3A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 300 mOhm @ 1.8A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.2nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 166pF @ 40V
Poder - máximo 1.3W
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote/caso SOT-223-8
Pacote do dispositivo do fornecedor SM8
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de ZXMHC6A07T8TA

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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