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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK9K32-100EX

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK9K32-100EX
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK9K32-100EX
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK9K32-100EX
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (132 reviews)

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Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
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Habilidade da fonte:	100000

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK9K32-100EX

descrição

Número da peça:	BUK9K32-100EX	Fabricante:	Nexperia EUA Inc.
Descrição:	MOSFET 2N-CH 100V 26A 56LFPAK	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições	Série:	TrenchMOS™

Especificações de BUK9K32-100EX

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)	100V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	26A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	31 mOhm @ 5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	2.1V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	27.3nC @ 5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	3168pF @ 25V
Poder - máximo	64W
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	SOT-1205, 8-LFPAK56
Pacote do dispositivo do fornecedor	LFPAK56D
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de BUK9K32-100EX

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK9K32-100EX 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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