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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX

Name: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX
Brand: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX
SKU: Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (170 reviews)

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Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX

descrição

Número da peça:	BUK7K6R2-40EX	Fabricante:	Nexperia EUA Inc.
Descrição:	MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - disposições

Especificações de BUK7K6R2-40EX

Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal 2 (duplo)
Característica do FET	Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss)	40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	40A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	5,8 mOhm @ 20A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	32.3nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	2210pF @ 25V
Poder - máximo	68W
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote/caso	SOT-1205, 8-LFPAK56
Pacote do dispositivo do fornecedor	LFPAK56D
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de BUK7K6R2-40EX

Detecção

Disposições dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BUK7K6R2-40EX 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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