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Detalhes do produto:
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| Número da peça: | SSM6K211FE, SE | Fabricante: | Semicondutor e armazenamento de Toshiba |
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| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6 | Categoria: | Transistor - FETs, MOSFETs - únicos |
| Família: | Transistor - FETs, MOSFETs - únicos | Série: | U-MOSIII |
| Estado da parte | Ativo |
|---|---|
| Tipo do FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene à tensão da fonte (Vdss) | 20V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 1mA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 10.8nC @ 4.5V |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±10V |
| Característica do FET | - |
| Dissipação de poder (máxima) | 500mW (Ta) |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 47 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
| Montando o tipo | Montagem de superfície |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | ES6 (1.6x1.6) |
| Pacote/caso | SOT-563, SOT-666 |
| Expedição | UPS/EMS/DHL/FedEx expresso. |
| Circunstância | Fábrica original nova. |
Pessoa de Contato: Darek
Telefone: +8615017926135
