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BUK9E08-55B, 127 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo únicos

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BUK9E08-55B, 127 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo únicos

BUK9E08-55B, 127 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo únicos
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

BUK9E08-55B, 127 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo únicos

descrição
Número da peça: BUK9E08-55B, 127 Fabricante: Nexperia EUA Inc.
Descrição: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: Automotivo, AEC-Q101, TrenchMOS™

BUK9E08-55B, 127 especificações

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 55V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 75A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 45nC @ 5V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 5280pF @ 25V
Vgs (máximo) ±15V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 203W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 7 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor I2PAK
Pacote/caso TO-262-3 conduz por muito tempo, mim ² Pak, TO-262AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

BUK9E08-55B, 127 que empacotam

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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