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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SISS40DN-T1-GE3 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SISS40DN-T1-GE3 únicos

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SISS40DN-T1-GE3 únicos

descrição
Número da peça: SISS40DN-T1-GE3 Fabricante: Vishay Siliconix
Descrição: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: ThunderFET®

Especificações SISS40DN-T1-GE3

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 100V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 36.5A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 24nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 845pF @ 50V
Vgs (máximo) ±20V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 21 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
Pacote/caso PowerPAK® 1212-8S
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SISS40DN-T1-GE3

Detecção

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Contacto
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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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