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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NVTFS5811NLTAG únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NVTFS5811NLTAG únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NVTFS5811NLTAG únicos
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Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NVTFS5811NLTAG únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NVTFS5811NLTAG únicos

descrição
Número da peça: NVTFS5811NLTAG Fabricante: No semicondutor
Descrição: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Especificações de NVTFS5811NLTAG

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 16A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 2.2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1570pF @ 25V
Vgs (máximo) ±20V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 3.2W (Ta), 21W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 6,7 mOhm @ 20A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote/caso 8-PowerWDFN
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de NVTFS5811NLTAG

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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