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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM60N únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM60N únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM60N únicos
MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM60N únicos

Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM60N únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF24NM60N únicos

descrição
Número da peça: STF24NM60N Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: MDmesh™ II

Especificações de STF24NM60N

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 17A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1400pF @ 50V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 30W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 190 mOhm @ 8A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220FP
Pacote/caso Bloco TO-220-3 completo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STF24NM60N

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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