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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD7NM80-1 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD7NM80-1 únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD7NM80-1 únicos
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Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD7NM80-1 únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo STD7NM80-1 únicos

descrição
Número da peça: STD7NM80-1 Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: MDmesh™

Especificações STD7NM80-1

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 800V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 6.5A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 620pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 90W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 1,05 ohms @ 3.25A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor Eu-Pak
Pacote/caso TO-251-3 ligações curtos, IPak, TO-251AA
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento STD7NM80-1

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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