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TK20N60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VF únicos

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TK20N60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VF únicos

TK20N60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VF únicos
TK20N60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VF únicos

Imagem Grande :  TK20N60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VF únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

TK20N60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VF únicos

descrição
Número da peça: TK20N60W5, S1VF Fabricante: Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: DTMOSIV

TK20N60W5, especificações de S1VF

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 20A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 55nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1800pF @ 300V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 165W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 175 mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247
Pacote/caso TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

TK20N60W5, empacotamento de S1VF

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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