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TK16E60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VX únicos

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TK16E60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VX únicos

TK16E60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VX únicos
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Imagem Grande :  TK16E60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VX únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

TK16E60W5, MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de S1VX únicos

descrição
Número da peça: TK16E60W5, S1VX Fabricante: Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: DTMOSIV

TK16E60W5, especificações de S1VX

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 600V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 15.8A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 790µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 43nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 1350pF @ 300V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 130W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 230 mOhm @ 7.9A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220
Pacote/caso TO-220-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

TK16E60W5, empacotamento de S1VX

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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