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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF20NK50Z únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF20NK50Z únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF20NK50Z únicos
MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF20NK50Z únicos

Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF20NK50Z únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de STF20NK50Z únicos

descrição
Número da peça: STF20NK50Z Fabricante: STMicroelectronics
Descrição: MOSFET N-CH 500V 17A TO-220FP Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: SuperMESH™

Especificações de STF20NK50Z

Estado da parte Obsoleto
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 500V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 17A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) -
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4.5V @ 100µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 119nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2600pF @ 25V
Vgs (máximo) -
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 40W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 270 mOhm @ 8.5A, 10V
Temperatura de funcionamento 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-220FP
Pacote/caso Bloco TO-220-3 completo
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de STF20NK50Z

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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