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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IXTR102N65X2 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IXTR102N65X2 únicos

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IXTR102N65X2 únicos
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo IXTR102N65X2 únicos

descrição
Número da peça: IXTR102N65X2 Fabricante: IXYS
Descrição: MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Especificações IXTR102N65X2

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 54A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 152nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 10900pF @ 25V
Vgs (máximo) ±30V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 330W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 33 mOhm @ 51A, 10V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor ISOPLUS247™
Pacote/caso ISOPLUS247™
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento IXTR102N65X2

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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