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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SCT3060ALGC11 únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SCT3060ALGC11 únicos

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Imagem Grande :  MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SCT3060ALGC11 únicos

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo SCT3060ALGC11 únicos

descrição
Número da peça: SCT3060ALGC11 Fabricante: Rohm semicondutor
Descrição: MOSFET NCH 650V 39A TO247N Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Especificações SCT3060ALGC11

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia SiCFET (carboneto de silicone)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 650V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 39A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5.6V @ 6.67mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 58nC @ 18V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 852pF @ 500V
Vgs (máximo) +22V, -4V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 165W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 78 mOhm @ 13A, 18V
Temperatura de funcionamento 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247N
Pacote/caso TO-247-3
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento SCT3060ALGC11

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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