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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de C3M0120100K únicos

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MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de C3M0120100K únicos

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de C3M0120100K únicos

descrição
Número da peça: C3M0120100K Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descrição: 1000V, 120 MOHM, MOSFET de G3 SIC Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - únicos Série: C3M™

Especificações de C3M0120100K

Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia SiCFET (carboneto de silicone)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 1000V (1kV)
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 22A
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 3.5V @ 3mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 21.5nC @ 15V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 350pF @ 600V
Vgs (máximo) ±15V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 83W (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 170 mOhm @ 15A, 15V
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor -
Pacote/caso 4-SIP
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de C3M0120100K

Detecção

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Contacto
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Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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