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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF7S24250NR3

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF7S24250NR3

descrição
Número da peça: MRF7S24250NR3 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: Transporte RF LDMOS 250W 32V Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF7S24250NR3

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 2.45GHz
Ganho 14.7dB
Tensão - teste 30V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 100mA
Saídas de potência 256W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso OM-780-2
Pacote do dispositivo do fornecedor OM-780-2
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF7S24250NR3

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF7S24250NR3 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF7S24250NR3 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF7S24250NR3 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF7S24250NR3 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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