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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (194 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5

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Lugar de origem:	Original

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Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5

descrição

Número da peça:	MRF8P20165WHSR5	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780S4	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8P20165WHSR5

Estado da parte	Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor	LDMOS (duplo)
Frequência	1.98GHz ~ 2.01GHz
Ganho	14.8dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	-
Figura de ruído	-
Atual - teste	550mA
Saídas de potência	37W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	NI-780S-4
Pacote do dispositivo do fornecedor	NI-780S-4
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8P20165WHSR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P20165WHSR5

Especificações MRF8P20165WHSR5

Empacotamento MRF8P20165WHSR5

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