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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6S21050LR3

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6S21050LR3

descrição
Número da peça: MRF6S21050LR3 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF6S21050LR3

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 2.16GHz
Ganho 16dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 450mA
Saídas de potência 11.5W
Tensão - avaliado 68V
Pacote/caso NI-400
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-400
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF6S21050LR3

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6S21050LR3 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6S21050LR3 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6S21050LR3 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6S21050LR3 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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