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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V12500HR3

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V12500HR3

descrição
Número da peça: MRF6V12500HR3 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 110V 1.03GHZ NI-780H Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF6V12500HR3

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 1.03GHz
Ganho 19.7dB
Tensão - teste 50V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 200mA
Saídas de potência 500W
Tensão - avaliado 110V
Pacote/caso NI-780
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-780
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF6V12500HR3

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V12500HR3 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V12500HR3 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V12500HR3 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V12500HR3 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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