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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5

descrição
Número da peça: MRF8P29300HR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 2.9GHZ NI1230 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8P29300HR5

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 2.9GHz
Ganho 13.3dB
Tensão - teste 30V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 100mA
Saídas de potência 320W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-1230
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-1230
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8P29300HR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P29300HR5 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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