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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V13250HSR3

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V13250HSR3

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF6V13250HSR3

descrição
Número da peça: MRF6V13250HSR3 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 120V 1.3GHZ NI780S Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF6V13250HSR3

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 1.3GHz
Ganho 22.7dB
Tensão - teste 50V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 100mA
Saídas de potência 250W
Tensão - avaliado 120V
Pacote/caso NI-780S
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-780S
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF6V13250HSR3

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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