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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HR6

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HR6

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HR6

descrição
Número da peça: MRFE6VP8600HR6 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230H Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRFE6VP8600HR6

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 860MHz
Ganho 19.3dB
Tensão - teste 50V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 1.4A
Saídas de potência 125W
Tensão - avaliado 130V
Pacote/caso NI-1230
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-1230
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRFE6VP8600HR6

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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