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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6G1214L-250,112

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6G1214L-250,112

descrição
Número da peça: BLL6G1214L-250,112 Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 89V 15DB SOT502A do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações BLL6G1214L-250,112

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 1.2GHz ~ 1.4GHz
Ganho 15dB
Tensão - teste 36V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 150mA
Saídas de potência 250W
Tensão - avaliado 89V
Pacote/caso SOT-502A
Pacote do dispositivo do fornecedor LDMOST
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento BLL6G1214L-250,112

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6G1214L-250,112 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6G1214L-250,112 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6G1214L-250,112 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6G1214L-250,112 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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