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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (117 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6

descrição

Número da peça:	MRFE6VP8600HSR6	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	FET RF 2CH 130V 860MHZ NI1230S	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRFE6VP8600HSR6

Estado da parte	Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor	LDMOS (duplo)
Frequência	860MHz
Ganho	19.3dB
Tensão - teste	50V
Avaliação atual	-
Figura de ruído	-
Atual - teste	1.4A
Saídas de potência	125W
Tensão - avaliado	130V
Pacote/caso	NI-1230S
Pacote do dispositivo do fornecedor	NI-1230S
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento MRFE6VP8600HSR6

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRFE6VP8600HSR6

Especificações MRFE6VP8600HSR6

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