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BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

Name: BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
Brand: BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
SKU: BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (106 reviews)

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BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

descrição

Número da peça:	BLF6G27LS-50BN, 118	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1112B	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

BLF6G27LS-50BN, 118 especificações

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	LDMOS (duplo)
Frequência	2.5GHz ~ 2.7GHz
Ganho	16.5dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	12A
Figura de ruído	-
Atual - teste	430mA
Saídas de potência	3W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	SOT-1112B
Pacote do dispositivo do fornecedor	CDFM6
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

BLF6G27LS-50BN, 118 que empacotam

Detecção

BLF6G27LS-50BN, microplaqueta do RF de 118 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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