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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (186 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112

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Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
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Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112

descrição

Número da peça:	BLC6G22LS-75,112	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	FET RF LDMOS 28V 690MA SOT896B	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações BLC6G22LS-75,112

Estado da parte	Obsoleto
Tipo do transistor	LDMOS
Frequência	2.11GHz ~ 2.17GHz
Ganho	18.5dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	18A
Figura de ruído	-
Atual - teste	690mA
Saídas de potência	17W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	SOT896B
Pacote do dispositivo do fornecedor	SOT896B, DFM2
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento BLC6G22LS-75,112

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLC6G22LS-75,112 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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Especificações BLC6G22LS-75,112

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