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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
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Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5

descrição
Número da peça: MRF8S21200HR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230H Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8S21200HR5

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 2.14GHz
Ganho 18.1dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 1.4A
Saídas de potência 48W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-1230
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-1230
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8S21200HR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S21200HR5 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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