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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF6G27-10GHJ

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF6G27-10GHJ

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLF6G27-10GHJ

descrição
Número da peça: BLF6G27-10GHJ Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V 19DB SOT975C do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de BLF6G27-10GHJ

Estado da parte Compra da última vez
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 2.5GHz ~ 2.7GHz
Ganho 19dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual 3.5A
Figura de ruído -
Atual - teste 130mA
Saídas de potência 2W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-975C
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT-975C
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BLF6G27-10GHJ

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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