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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF6G27-100,112

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF6G27-100,112

descrição
Número da peça: BLF6G27-100,112 Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V SOT502A do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações BLF6G27-100,112

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS
Frequência -
Ganho -
Tensão - teste 28V
Avaliação atual 29A
Figura de ruído -
Atual - teste 900mA
Saídas de potência 14W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-502A
Pacote do dispositivo do fornecedor LDMOST
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento BLF6G27-100,112

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF6G27-100,112 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF6G27-100,112 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF6G27-100,112 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF6G27-100,112 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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