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BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo

descrição
Número da peça: BLF6G24-180PN, 112 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

BLF6G24-180PN, 112 especificações

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 2GHz ~ 2.2GHz
Ganho 17.5dB
Tensão - teste -
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste -
Saídas de potência 50W
Tensão - avaliado -
Pacote/caso SOT539A
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT539A
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

BLF6G24-180PN, 112 que empacotam

Detecção

BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 0BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 1BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2BLF6G24-180PN, microplaqueta do RF de 112 MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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