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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3079ATE12LQ

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3079ATE12LQ

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3079ATE12LQ

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo 2SK3079ATE12LQ

descrição
Número da peça: 2SK3079ATE12LQ Fabricante: Semicondutor e armazenamento de Toshiba
Descrição: MOSF RF N CH 10V PW-X Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações 2SK3079ATE12LQ

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor N-canal
Frequência 470MHz
Ganho 13.5dB
Tensão - teste 4.5V
Avaliação atual 3A
Figura de ruído -
Atual - teste 50mA
Saídas de potência 33.5dBmW
Tensão - avaliado 10V
Pacote/caso TO-271AA
Pacote do dispositivo do fornecedor PW-X
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento 2SK3079ATE12LQ

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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