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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (115 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B

descrição

Número da peça:	NPT1007B	Fabricante:	Soluções da tecnologia de M/A-Com
Descrição:	TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de NPT1007B

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	HEMT
Frequência	900MHz
Ganho	18.3dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	20.5A
Figura de ruído	-
Atual - teste	1.4A
Saídas de potência	53dBm
Tensão - avaliado	100V
Pacote/caso	-
Pacote do dispositivo do fornecedor	-
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de NPT1007B

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de NPT1007B 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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