Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP8G10S-45PGY
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP8G10S-45PGY
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP8G10S-45PGY
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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP8G10S-45PGY

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP8G10S-45PGY

descrição

Número da peça:	BLP8G10S-45PGY	Fabricante:	Ampleon EUA Inc.
Descrição:	FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP do RF	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de BLP8G10S-45PGY

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	LDMOS (duplo), fonte comum
Frequência	952.5MHz ~ 957.5MHz
Ganho	20.8dB
Tensão - teste	28V
Avaliação atual	-
Figura de ruído	-
Atual - teste	224mA
Saídas de potência	2.5W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	4-BESOP (0,173", largura de 4.40mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor	4-HSOP
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de BLP8G10S-45PGY

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP8G10S-45PGY 0

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