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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1J006D

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1J006D

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1J006D

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1J006D

descrição
Número da peça: CGHV1J006D Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descrição: O HEMT 40V do MOSFET do RF MORRE Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de CGHV1J006D

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor HEMT
Frequência 18GHz
Ganho 17dB
Tensão - teste 40V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 30mA
Saídas de potência 6W
Tensão - avaliado 100V
Pacote/caso Morra
Pacote do dispositivo do fornecedor Morra
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de CGHV1J006D

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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