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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6H0514-25,112

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6H0514-25,112

descrição
Número da peça: BLL6H0514-25,112 Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 100V 21DB SOT467C do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações BLL6H0514-25,112

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 1.2GHz ~ 1.4GHz
Ganho 21dB
Tensão - teste 50V
Avaliação atual 2.5A
Figura de ruído -
Atual - teste 50mA
Saídas de potência 25W
Tensão - avaliado 100V
Pacote/caso SOT467C
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT467C
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento BLL6H0514-25,112

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6H0514-25,112 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6H0514-25,112 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6H0514-25,112 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLL6H0514-25,112 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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