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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1F025S

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1F025S

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1F025S

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de CGHV1F025S

descrição
Número da peça: CGHV1F025S Fabricante: Cree/Wolfspeed
Descrição: FET RF 100V 6GHZ 12DFN Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de CGHV1F025S

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor HEMT
Frequência 6GHz
Ganho 16dB
Tensão - teste 40V
Avaliação atual 2A
Figura de ruído -
Atual - teste 150mA
Saídas de potência 29W
Tensão - avaliado 100V
Pacote/caso 12-VFDFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor 12-DFN (4x3)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de CGHV1F025S

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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