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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MW6S010GNR1

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MW6S010GNR1

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MW6S010GNR1

descrição
Número da peça: MW6S010GNR1 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MW6S010GNR1

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 960MHz
Ganho 18dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 125mA
Saídas de potência 10W
Tensão - avaliado 68V
Pacote/caso Asa da gaivota TO-270-2
Pacote do dispositivo do fornecedor GAIVOTA TO-270-2
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MW6S010GNR1

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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