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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP7G22-10Z

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP7G22-10Z

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP7G22-10Z

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de BLP7G22-10Z

descrição
Número da peça: BLP7G22-10Z Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de BLP7G22-10Z

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS (duplo), fonte comum
Frequência 2.14GHz
Ganho 16dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 110mA
Saídas de potência 2W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso 12-VDFN expôs a almofada
Pacote do dispositivo do fornecedor 12-HVSON (5x6)
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento de BLP7G22-10Z

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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