Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de PD20010-E
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de PD20010-E
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de PD20010-E
Price: 1.00 USD
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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de PD20010-E

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de PD20010-E

descrição

Número da peça:	PD20010-E	Fabricante:	STMicroelectronics
Descrição:	FET POWERSO-10RF DO TRANSPORTE RF N-CH	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações de PD20010-E

Estado da parte	Ativo
Tipo do transistor	LDMOS
Frequência	2GHz
Ganho	11dB
Tensão - teste	13.6V
Avaliação atual	5A
Figura de ruído	-
Atual - teste	150mA
Saídas de potência	10W
Tensão - avaliado	40V
Pacote/caso	PowerSO-10RF expôs a almofada inferior (2 ligações formadas)
Pacote do dispositivo do fornecedor	PowerSO-10RF (ligação formada)
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento de PD20010-E

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo de PD20010-E 0

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Telefone: +8615017926135

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