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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3

descrição
Número da peça: MRF8P23080HR3 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780-4 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8P23080HR3

Estado da parte Obsoleto
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 2.3GHz
Ganho 14.6dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 280mA
Saídas de potência 16W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-780-4
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-780-4
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8P23080HR3

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HR3 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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