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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5

Name: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5
Brand: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5
SKU: Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (137 reviews)

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5

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Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Original

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	Negociável
Preço:	Negotiable
Tempo de entrega:	Negociável
Termos de pagamento:	T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte:	100000

Contato

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5

descrição

Número da peça:	MRF8S19260HSR5	Fabricante:	NXP EUA Inc.
Descrição:	FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família:	Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8S19260HSR5

Estado da parte	Obsoleto
Tipo do transistor	LDMOS (duplo)
Frequência	1.99GHz
Ganho	18.2dB
Tensão - teste	30V
Avaliação atual	-
Figura de ruído	-
Atual - teste	1.6A
Saídas de potência	74W
Tensão - avaliado	65V
Pacote/caso	SOT-1110B
Pacote do dispositivo do fornecedor	NI1230S-8
Expedição	UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância	Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8S19260HSR5

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8S19260HSR5 0

etiqueta:

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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Especificações MRF8S19260HSR5

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