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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HSR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HSR5

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HSR5

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo MRF8P23080HSR5

descrição
Número da peça: MRF8P23080HSR5 Fabricante: NXP EUA Inc.
Descrição: FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI780S-4 Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações MRF8P23080HSR5

Estado da parte Interrompido na Digi-chave
Tipo do transistor LDMOS (duplo)
Frequência 2.3GHz
Ganho 14.6dB
Tensão - teste 28V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 280mA
Saídas de potência 16W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso NI-780S-4
Pacote do dispositivo do fornecedor NI-780S-4
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento MRF8P23080HSR5

Detecção

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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