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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118

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Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118
Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118

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Detalhes do produto:
Lugar de origem: Original
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: Negociável
Preço: Negotiable
Tempo de entrega: Negociável
Termos de pagamento: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 100000

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118

descrição
Número da peça: BLF7G10LS-250,118 Fabricante: Ampleon EUA Inc.
Descrição: FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B do RF Categoria: Transistor - FETs, MOSFETs - RF
Família: Transistor - FETs, MOSFETs - RF

Especificações BLF7G10LS-250,118

Estado da parte Ativo
Tipo do transistor LDMOS
Frequência 920MHz ~ 960MHz
Ganho 19.5dB
Tensão - teste 30V
Avaliação atual -
Figura de ruído -
Atual - teste 1.8A
Saídas de potência 60W
Tensão - avaliado 65V
Pacote/caso SOT-502B
Pacote do dispositivo do fornecedor SOT502B
Expedição UPS/EMS/DHL/FedEx expresso.
Circunstância Fábrica original nova.

Empacotamento BLF7G10LS-250,118

Detecção

Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118 0Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118 1Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118 2Microplaqueta do RF dos MOSFETs dos FETs dos transistor do transistor de efeito de campo BLF7G10LS-250,118 3

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Pessoa de Contato: Darek

Telefone: +8615017926135

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